一百六十 天然优势,背靠祖国(1 / 2)

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..穿梭在历大事件的将军

dr(dynrndery),即态随机取存储,最为见的系内存。是在计机、手等设备最常见基础芯

第一块64kdr投放市时是1984年,比日本足足晚40个

块256kdr放市场是1986年,日本人了24月。

一块1dr投放场时是1986,比日人只晚12个

1989年星第一4dr日本人乎是同投放市的。

1992,三星始领先本,推全球第个64dr产品。

而同期的日半导体业,从1985开始日经济进泡沫化,全民炒

1985年本人砍了40%的设备新投资科技红投入。

1986-1987年日人有效发投入4780亿日元低到只26亿元,下幅度达80%,就给韩人反超机会。

这就是家所熟的,韩人在半体领域所谓的一次“周期投”。

1992-1999年,国人通持续科红利之效研发入进一夯实64dr胜果实的础上,过压强则,扩对日本的竞争势,完了从追到超越大逆袭程。

1990,16dr,韩人推出时间滞于日本3个月。

1992年,64dr,韩国人微领先日本人。

到1998年,韩国人球第一开发256dr、128sdr、128fsh。

1999年,韩人全球一个开1gdr。

名的《技红利时代》书中,次提出技红利、有效研投入和强系数科技红的研究想。

科技红思想的度,庞们看看国人又如何通提高压系数,现对日人的逆

1992年国人64dr略领先于本人和国人成研制后,韩国人没有停科技红之有效发投入。

1993年反通过压原则,点攻击,科技红之有效发投入比增长70.19%,巩对日本的领先势。

1995韩国人次快速升压强数,科红利之效研发入再次幅度提,同比速高达96.82%。

1996-1997年连续年保持位压强数状态。

这才了1998年128sdr、128fsh、256dr、1gdr的球第一推出市,从而美的实大逆袭。

第三,产业链直一体,加强游设备电子化品原材的国产

纪90代,韩政府主推出总算2000亿韩(2.5亿美元)的半导设备国化项目,鼓励韩企业投设备和子化学原料供链。

国工贸在汉城部80里的松和天安,设立两工业园,专门给半导设备厂设厂。

为了获先进技,韩国以优厚件招揽国化工头杜邦、硅片原巨头e、日本dns(大本网屏)等厂商,在韩国立合资司。

此,韩人半导产业链游关键备和电化学品材料初规模。

第四,业链横扩张,存储器片p芯、dsp芯片等。

以三为例,过与米、欧洲业建立盟合作系,三在dr外,获了大量片产业源。

米国sn公司引jv处器技术。

从法st(法半导)引进dsp芯技术。

从英国r引进音频处理片技术。

与日东芝、n、冲电(ki)展开新闪存fsh方面技术合等。

观而言,产业链向扩张于天朝很难复的,因西方列根本不对天朝出半导集成电芯片的心技术。

即使朝诸多业溢价巨额资购买也诸多困

持产业的横向张,这成为半体强国必经之

1992年星全球一个成研制64dr。64dr,硅片直为200-2,片面积1352,集成为140000000。

采用的要技术超净技和3.3v低电化技术。

在集度方面,韩国人日本人360%。

64dr,三星越日本n,首次为全球一大dr内存制商。

后,韩开始制之路,续25蝉联世第一。

韩国成全球半体内存场第四霸主。

1996年,韩三星的dr芯片口额达62亿金,居界第一。

日本n居第二。

韩国代以21.26亿美金居三位。

韩国lg以15.4亿美居第九

十年时,韩国一举打日本人,牢牢占了全球导体内市场。

至此,国人全崛起于韩半导战争,为全球导体工大国。

再次回韩国人起的历过程。

1968-1980年,米国人助下,国人完追赶,步建立半导体业体系。

半导工业产从不足2000美元,加到15亿美金上。

导体出产值从300万金,增到11亿美金以

1980-1985,韩国在米国扶持下,仅仅用5年时间速完成掌握16k、64k、256kdr的关键术的研,一举越日本过去三年的所努力。

5年时,韩国导体工产值达41.87亿美金,期间增176%。

半导体口产值25.33亿美,期间长113%。

1986-1997年,第次dr界大战-日韩半体战争发。

国人“韩抗日”,在米人全力持下,别是1985、1991《美日导体协》的签,到1994年国人在64、256dr成对日人的从赶到领

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